AFGB40T65SQDN
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術參數:650V/40A FS4 IGBT TO263 A
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參數詳情:
制造商產品型號:AFGB40T65SQDN制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:650V/40A FS4 IGBT TO263 A系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:Automotive, AEC-Q101零件狀態:有源IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):80A電流-集電極脈沖(Icm):160A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A功率-最大值:238W開關能量:858μJ(開),229μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:76nC25°C時Td(開/關)值:17.6ns/75.2ns測試條件:400V,40A,6 歐姆,15V反向恢復時間(trr):131ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABAFGB40T65SQDN的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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