FCU600N65S3R0
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I-PAK
技術參數：MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
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參數詳情：
制造商產品型號：FCU600N65S3R0制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 650V 6A IPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：SuperFET? III零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：6A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：600 毫歐 @ 3A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 600μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：465pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：54W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I-PAKFCU600N65S3R0的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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