FDC655BN_NBNN007
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SuperSOT?-6
技術參數:MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
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參數詳情:
制造商產品型號:FDC655BN_NBNN007制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:PowerTrench?零件狀態:停產FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):6.3A(Ta)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):25 毫歐 @ 6.3A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):620pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):800mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:SuperSOT?-6FDC655BN_NBNN007的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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