FDD1600N10ALZ
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-252,(D-Pak)
技術參數:MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
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參數詳情:
制造商產品型號:FDD1600N10ALZ制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:PowerTrench?零件狀態:有源FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100V25°C時電流-連續漏極(Id):6.8A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):160 毫歐 @ 3.4A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.61nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):225pF @ 50VFET功能:-功率耗散(最大值):14.9W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:TO-252,(D-Pak)FDD1600N10ALZ的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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