FDG6321C-F169
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
技術(shù)參數(shù):INTEGRATED CIRCUIT
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDG6321C-F169制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:INTEGRATED CIRCUIT系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:N 和 P 溝道FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):25V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):500mA(Ta),410mA(Ta)不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):450 毫歐 @ 500mA,4.5V,1.1 歐姆 @ 410mA,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V,1.5nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V,62pF @ 10V功率-最大值:300mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363FDG6321C-F169的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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