FDMC510P-F106
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-WDFN(3.3x3.3)
技術參數:MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
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參數詳情:
制造商產品型號:FDMC510P-F106制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:PowerTrench?零件狀態:有源FET類型:P 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續漏極(Id):12A(Ta),18A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8 毫歐 @ 12A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):116nC @ 4.5VVgs(最大值):±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):7860pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):2.3W(Ta),41W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:8-WDFN(3.3x3.3)FDMC510P-F106的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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