FDMC8200S_F106
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerWDFN
技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDMC8200S_F106制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:*零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6A,8.5A不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):20 毫歐 @ 6A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):660pF @ 15V功率-最大值:700mW,1W工作溫度:-安裝類型:表面貼裝型封裝:8-PowerWDFNFDMC8200S_F106的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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