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FDMS86101E
  • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-PQFN（5x6）
  • 技術參數：MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
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    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：FDMS86101E
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：PowerTrench?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：12.4A（Ta），60A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 13A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），104W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：8-PQFN（5x6）
  • FDMS86101E的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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