FDMS86103L
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-PQFN(5x6)
技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDMS86103L制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):12A(Ta),49A(Tc)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):8 毫歐 @ 12A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3710pF @ 50VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),104W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:8-PQFN(5x6)FDMS86103L的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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