FDN360P-NBGT003B
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SOT-23-3
技術參數:MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
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參數詳情:
制造商產品型號:FDN360P-NBGT003B制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:PowerTrench?零件狀態:停產FET類型:P 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):2A(Ta)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):80 毫歐 @ 2A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):298pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):500mW(Ta)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:SOT-23-3FDN360P-NBGT003B的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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