FDZ191P_P
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:6-WLCSP(1.0x1.5)
技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDZ191P_P制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3A(Ta)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):85 毫歐 @ 1A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10VVgs(最大值):±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):800pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):1.9W(Ta)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:6-WLCSP(1.0x1.5)FDZ191P_P的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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