FDZ298N
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:9-BGA(1.5x1.6)
技術參數:MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
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參數詳情:
制造商產品型號:FDZ298N制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:PowerTrench?零件狀態:停產FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續漏極(Id):6A(Ta)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):27 毫歐 @ 6A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5VVgs(最大值):±12V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):680pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):1.7W(Ta)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:9-BGA(1.5x1.6)FDZ298N的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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