FGA20S120M
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
技術參數：IGBT 1200V 40A 348W TO3PN
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參數詳情：
制造商產品型號：FGA20S120M制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT 1200V 40A 348W TO3PN系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：40A電流-集電極脈沖(Icm)：60A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，20A功率-最大值：348W開關能量：-輸入類型：標準柵極電荷：208nC25°C時Td（開/關）值：-測試條件：-反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3FGA20S120M的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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