FGA30N120FTDTU
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 60A 339W TO3P
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGA30N120FTDTU制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 1200V 60A 339W TO3P系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):最後搶購IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):60A電流-集電極脈沖(Icm):90A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A功率-最大值:339W開關(guān)能量:-輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:208nC25°C時Td(開/關(guān))值:-測試條件:-反向恢復(fù)時間(trr):730ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3FGA30N120FTDTU的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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