FGA30N60LSDTU
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
技術參數:IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P
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參數詳情:
制造商產品型號:FGA30N60LSDTU制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:最後搶購IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):60A電流-集電極脈沖(Icm):90A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A功率-最大值:480W開關能量:1.1mJ(開),21mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:225nC25°C時Td(開/關)值:18ns/250ns測試條件:400V,30A,6.8 歐姆,15V反向恢復時間(trr):35ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3FGA30N60LSDTU的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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