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FGA30T65SHD
  • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
  • 技術參數：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
  • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現貨當天發貨！）
  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：FGA30T65SHD
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
  • 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：238W
  • 開關能量：598μJ（開），167μJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：54.7nC
  • 25°C時Td（開/關）值：14.4ns/52.8ns
  • 測試條件：400V，30A，6 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：31.8ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
  • FGA30T65SHD的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
    • 節約時間成本，提高采購效率，安森美官網（ON）授權代理
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