FGA50N100BNTD2
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
技術參數:IGBT 1000V 50A 156W TO3P
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參數詳情:
制造商產品型號:FGA50N100BNTD2制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1000V 50A 156W TO3P系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:最後搶購IGBT類型:NPT 和溝道電壓-集射極擊穿(最大值):1000V電流-集電極(Ic)(最大值):50A電流-集電極脈沖(Icm):200A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A功率-最大值:156W開關能量:-輸入類型:標準柵極電荷:257nC25°C時Td(開/關)值:34ns/243ns測試條件:600V,60A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):75ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3FGA50N100BNTD2的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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