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FGB30N6S2T
  • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • 技術參數(shù)：IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：FGB30N6S2T
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
  • 描述：IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：45A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：108A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，12A
  • 功率-最大值：167W
  • 開關能量：55μJ（開），110μJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：23nC
  • 25°C時Td（開/關）值：6ns/40ns
  • 測試條件：390V，12A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • FGB30N6S2T的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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