FGD3N60LSDTM
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 6A 40W DPAK
(專注銷售安森美電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGD3N60LSDTM制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 600V 6A 40W DPAK系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):6A電流-集電極脈沖(Icm):25A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A功率-最大值:40W開關(guān)能量:250μJ(開),1mJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:12.5nC25°C時Td(開/關(guān))值:40ns/600ns測試條件:480V,3A,470 歐姆,10V反向恢復(fù)時間(trr):234ns工作溫度:-安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63FGD3N60LSDTM的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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