FGD3N60UNDF
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
技術參數:IGBT 600V 6A 60W DPAK
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參數詳情:
制造商產品型號:FGD3N60UNDF制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:有源IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):6A電流-集電極脈沖(Icm):9A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A功率-最大值:60W開關能量:52μJ(開),30μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:1.6nC25°C時Td(開/關)值:5.5ns/22ns測試條件:400V,3A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):21ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63FGD3N60UNDF的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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