FGD5T120SH
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
(專注銷售安森美電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGD5T120SH制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 1200V 5A FS3 DPAK系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):10A電流-集電極脈沖(Icm):12.5A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A功率-最大值:69W開關(guān)能量:247μJ(開),94μJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:6.7nC25°C時Td(開/關(guān))值:4.8ns/24.8ns測試條件:600V,5A,30 歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63FGD5T120SH的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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