FGL60N100BNTD
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-264-3,TO-264AA
技術參數:IGBT 1000V 60A 180W TO264
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參數詳情:
制造商產品型號:FGL60N100BNTD制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:不適用於新設計IGBT類型:NPT 和溝道電壓-集射極擊穿(最大值):1000V電流-集電極(Ic)(最大值):60A電流-集電極脈沖(Icm):120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A功率-最大值:180W開關能量:-輸入類型:標準柵極電荷:275nC25°C時Td(開/關)值:140ns/630ns測試條件:600V,60A,51 歐姆,15V反向恢復時間(trr):1.2μs工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-264-3,TO-264AAFGL60N100BNTD的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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