FGP10N60UNDF
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術參數:IGBT NPT 600V 20A TO220-3
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參數詳情:
制造商產品型號:FGP10N60UNDF制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT NPT 600V 20A TO220-3系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:有源IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):20A電流-集電極脈沖(Icm):30A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,10A功率-最大值:139W開關能量:150μJ(開),50μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:37nC25°C時Td(開/關)值:8ns/52.2ns測試條件:400V,10A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):37.7ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3FGP10N60UNDF的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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