FGP30N6S2
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術參數:IGBT 600V 45A 167W TO220AB
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參數詳情:
制造商產品型號:FGP30N6S2制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 45A 167W TO220AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):45A電流-集電極脈沖(Icm):108A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A功率-最大值:167W開關能量:55μJ(開),100μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:23nC25°C時Td(開/關)值:6ns/40ns測試條件:390V,12A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3FGP30N6S2的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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