FGY75T120SQDN
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數:IGBT 1200V 75A UFS
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參數詳情:
制造商產品型號:FGY75T120SQDN制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1200V 75A UFS系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:有源IGBT類型:場截止電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):150A電流-集電極脈沖(Icm):300A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,75A功率-最大值:790W開關能量:6.25mJ(開),1.96mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:399nC25°C時Td(開/關)值:64ns/332ns測試條件:600V,75A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):99ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3FGY75T120SQDN的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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