FJV4106RMTF
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置,封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技術(shù)參數(shù):TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FJV4106RMTF制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置零件狀態(tài):停產(chǎn)晶體管類型:PNP - 預偏壓電流-集電極(Ic)(最大值):100mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基極(R1):10 kOhms電阻器-發(fā)射極(R2):47 kOhms不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)頻率-躍遷:200MHz功率-最大值:200mW安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3FJV4106RMTF的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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