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FQB1N60TM
  • 制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
  • 技術參數:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
  • (專注銷售安森美電子元器件,承諾原裝!現貨當天發貨!)
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購)
  • 參數詳情:
  • 制造商產品型號:FQB1N60TM
  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:QFET?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):1.2A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):11.5 歐姆 @ 600mA,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):150pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.13W(Ta),40W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
  • FQB1N60TM的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
  • 節約時間成本,提高采購效率,安森美官網(ON)授權代理
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