FQB1N60TM
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
技術參數:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
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參數詳情:
制造商產品型號:FQB1N60TM制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:QFET?零件狀態:停產FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):600V25°C時電流-連續漏極(Id):1.2A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):11.5 歐姆 @ 600mA,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):150pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):3.13W(Ta),40W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:D2PAK(TO-263AB)FQB1N60TM的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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