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FQB3N90TM
  • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
  • 技術參數：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
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  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：FQB3N90TM
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
  • 描述：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：QFET?
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：900V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：3.6A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.25 歐姆 @ 1.8A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：910pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），130W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
  • FQB3N90TM的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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