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FQD2N60CTM-WS
  • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D-Pak
  • 技術參數：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨！）
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    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：FQD2N60CTM-WS
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：QFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.9A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.7 歐姆 @ 950mA，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：235pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），44W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：D-Pak
  • FQD2N60CTM-WS的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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