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FQD4N50TM供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
FQD4N50TM參考圖片
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FQD4N50TM
  • 制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D-Pak
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
  • (專注銷售安森美電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FQD4N50TM
  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:QFET?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):500V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.6A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):2.7 歐姆 @ 1.3A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):460pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),45W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D-Pak
  • FQD4N50TM的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
  • 節(jié)約時間成本,提高采購效率,安森美官網(wǎng)(ON)授權(quán)代理
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