FQI5N30TU
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:I2PAK(TO-262)
技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FQI5N30TU制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:QFET?零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):300V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):5.4A(Tc)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):900 毫歐 @ 2.7A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):430pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):3.13W(Ta),70W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔器件封裝:I2PAK(TO-262)FQI5N30TU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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