HGT1S20N35G3VLS
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術參數:IGBT 380V 20A 150W TO263AB
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參數詳情:
制造商產品型號:HGT1S20N35G3VLS制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 380V 20A 150W TO263AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):375V電流-集電極(Ic)(最大值):20A電流-集電極脈沖(Icm):-不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.8V @ 5V,20A功率-最大值:150W開關能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷:28.7nC25°C時Td(開/關)值:-/15μs測試條件:300V,10A,25歐姆,5V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABHGT1S20N35G3VLS的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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