HGT1S20N60A4S9A
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術參數:IGBT 600V 70A 290W TO263AB
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參數詳情:
制造商產品型號:HGT1S20N60A4S9A制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 70A 290W TO263AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):70A電流-集電極脈沖(Icm):280A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A功率-最大值:290W開關能量:105μJ(開),150μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:142nC25°C時Td(開/關)值:15ns/73ns測試條件:390V,20A,3 歐姆,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABHGT1S20N60A4S9A的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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