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HGT1S7N60A4DS供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

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安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志

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HGT1S7N60A4DS

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 34A 125W TO263AB

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：HGT1S7N60A4DS

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：IGBT 600V 34A 125W TO263AB

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：34A

電流-集電極脈沖(Icm)：56A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，7A

功率-最大值：125W

開關(guān)能量：55μJ（開），60μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：37nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：11ns/100ns

測試條件：390V，7A，25 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：34ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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