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HGT1S7N60C3DS9A供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

HGT1S7N60C3DS9A參考圖片

安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志

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HGT1S7N60C3DS9A

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 14A 60W TO263AB

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：HGT1S7N60C3DS9A

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：14A

電流-集電極脈沖(Icm)：56A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，7A

功率-最大值：60W

開關(guān)能量：165μJ（開），600μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：23nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：-

測試條件：480V，7A，50歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：37ns

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

HGT1S7N60C3DS9A的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。

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