HGTG30N60B3
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
技術參數：IGBT 600V 60A 208W TO247
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參數詳情：
制造商產品型號：HGTG30N60B3制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT 600V 60A 208W TO247系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：最後搶購IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：60A電流-集電極脈沖(Icm)：220A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A功率-最大值：208W開關能量：500μJ（開），680μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：170nC25°C時Td（開/關）值：36ns/137ns測試條件：480V，30A，3 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3HGTG30N60B3的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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