HGTP10N120BN
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGTP10N120BN制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 1200V 35A 298W TO220AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):35A電流-集電極脈沖(Icm):80A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A功率-最大值:298W開關(guān)能量:320μJ(開),800μJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:100nC25°C時Td(開/關(guān))值:23ns/165ns測試條件:960V,10A,10 歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3HGTP10N120BN的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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