HGTP12N60C3D
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術參數:IGBT 600V 24A TO220-3
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參數詳情:
制造商產品型號:HGTP12N60C3D制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 24A TO220-3系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:最後搶購IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):24A電流-集電極脈沖(Icm):96A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,15A功率-最大值:104W開關能量:380μJ(開),900μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:48nC25°C時Td(開/關)值:-測試條件:-反向恢復時間(trr):40ns工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3HGTP12N60C3D的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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