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HGTP5N120BND
  • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
  • 技術參數：IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
  • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現貨當天發貨！）
  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：HGTP5N120BND
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
  • 描述：IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：不適用於新設計
  • IGBT類型：NPT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：21A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：40A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A
  • 功率-最大值：167W
  • 開關能量：450μJ（開），390μJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：53nC
  • 25°C時Td（開/關）值：22ns/160ns
  • 測試條件：960V，5A，25 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：65ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-220-3
  • HGTP5N120BND的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
    • 節約時間成本，提高采購效率，安森美官網（ON）授權代理
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