MUN5212DW1T1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
技術參數:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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參數詳情:
制造商產品型號:MUN5212DW1T1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置零件狀態:有源晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)電流-集電極(Ic)(最大值):100mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基極(R1):22 千歐電阻器-發射極(R2):22 千歐不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,10V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:-功率-最大值:250mW安裝類型:表面貼裝型封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363MUN5212DW1T1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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