NGD18N45CLBT4G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:單路IGBT,DPAK-3
技術參數:IGBT 450V 18A DPAK
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參數詳情:
制造商產品型號:NGD18N45CLBT4G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 450V 18A DPAK系列:-IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):500V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):18ACurrent - Collector Pulsed (Icm):50A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.3V @ 4.5V,7A功率 - 最大值:115WSwitching Energy:-輸入類型:邏輯Gate Charge:-25°C 時 Td(開/關)值:420ns/2.9μsTest Condition:300V, 1 千歐, 5V反向恢復時間 (trr):-產品封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK-3NGD18N45CLBT4G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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