NGTB30N60L2WG
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數:IGBT 600V 30A TO247
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參數詳情:
制造商產品型號:NGTB30N60L2WG制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 30A TO247系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:最後搶購IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):100A電流-集電極脈沖(Icm):60A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,30A功率-最大值:225W開關能量:310μJ(開),1.14mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:166nC25°C時Td(開/關)值:100ns/390ns測試條件:300V,30A,30 歐姆,15V反向恢復時間(trr):70ns工作溫度:175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3NGTB30N60L2WG的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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