NGTB40N120L3WG
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數(shù):IGBT 1200V 160A TO247
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NGTB40N120L3WG制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1200V 160A TO247系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):160A電流-集電極脈沖(Icm):160A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A功率-最大值:454W開關能量:1.5mJ(開),1.5mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:220nC25°C時Td(開/關)值:18ns/150ns測試條件:600V,40A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):86ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3NGTB40N120L3WG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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