NJVNJD35N04T4G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
技術參數(shù):TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NJVNJD35N04T4G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源晶體管類型:NPN - 達林頓電流-集電極(Ic)(最大值):4A電壓-集射極擊穿(最大值):350V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):1.5V @ 20mA,2A電流-集電極截止(最大值):50μA不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V功率-最大值:45W頻率-躍遷:90MHz工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63NJVNJD35N04T4G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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