NSBA123EDXV6T1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置,封裝:SOT-563,SOT-666
技術參數:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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參數詳情:
制造商產品型號:NSBA123EDXV6T1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置零件狀態:停產晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)電流-集電極(Ic)(最大值):100mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基極(R1):2.2 千歐電阻器-發射極(R2):2.2 千歐不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):8 @ 5mA,10V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 5mA,10mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:-功率-最大值:500mW安裝類型:表面貼裝型封裝:SOT-563,SOT-666NSBA123EDXV6T1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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