NSVIMD10AMT1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置,封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
技術參數:SURF MT BIASED RES XSTR
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參數詳情:
制造商產品型號:NSVIMD10AMT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:SURF MT BIASED RES XSTR系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置零件狀態:有源晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)電流-集電極(Ic)(最大值):500mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基極(R1):13 千歐,130 歐姆電阻器-發射極(R2):10 千歐不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 1mA,10mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:-功率-最大值:285mW安裝類型:表面貼裝型封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6NSVIMD10AMT1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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