NSVMMBTH10LT1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻,封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技術參數:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
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參數詳情:
制造商產品型號:NSVMMBTH10LT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻零件狀態:有源晶體管類型:NPN電壓-集射極擊穿(最大值):25V頻率-躍遷:650MHz噪聲系數(dB,不同f時的典型值):-增益:-功率-最大值:225mW不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V電流-集電極(Ic)(最大值):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3NSVMMBTH10LT1G的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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