NTD3817N-1G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I-PAK
技術參數：MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
（專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現貨當天發貨�。�
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參數詳情：
制造商產品型號：NTD3817N-1G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：16V25°C時電流-連續漏極(Id)：7.6A（Ta），34.5A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：13.9 毫歐 @ 15A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.5nC @ 4.5VVgs（最大值）：±16V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：702pF @ 12VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.2W（Ta），25.9W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I-PAKNTD3817N-1G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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