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NTD4909NA-35G
  • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I-PAK
  • 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
  • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產品型號：NTD4909NA-35G
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8.8A（Ta），41A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1314pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作溫度：-
  • 安裝類型：通孔
  • 器件封裝：I-PAK
  • NTD4909NA-35G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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