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NTD5865NL-1G供應(yīng)商

產(chǎn)品參考圖片

NTD5865NL-1G參考圖片

安森美（ON）產(chǎn)品標志

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NTD5865NL-1G

制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I-PAK

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 46A IPAK

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：NTD5865NL-1G

制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）

描述：MOSFET N-CH 60V 46A IPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：46A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：71W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I-PAK

NTD5865NL-1G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。

點擊下圖下載技術(shù)文檔

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